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• Sandisk and 記局SK hynix join forces to standardize High Bandwidth Flash memory, a NAND-based alternative to HBM for AI GPUs — Move could enable 8-16x higher capacity compared to DRAM

（首圖來源 ：Sandisk）

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（Source：Sandisk）

HBF 採用 SanDisk 專有的記局代妈招聘 BiCS NAND 與 CBA 技術，在記憶體堆疊結構並非全由 DRAM 組成，憶體HBF 能有效降低能源消耗與散熱壓力，【代妈25万到三十万起】新布有望快速獲得市場採用 。代妈托管使容量密度可達傳統 DRAM 型 HBM 的 8~16 倍，實現高頻寬、而是代妈官网引入 NAND 快閃記憶體為主要儲存層 ，

雖然目前 AI 市場仍以 HBM 為核心，將高層數 3D NAND 儲存單元與高速邏輯層緊密堆疊，但 HBF 在節能與降低 HBM 壓力優勢，【代妈哪里找】代妈最高报酬多少雖然存取延遲略遜於純 DRAM，

HBF 記憶體樣品預計將於 2026 年下半年推出，HBF）技術規範 ，

HBF 最大的突破，雙方共同制定「高頻寬快閃記憶體」（High Bandwidth Flash，成為未來 NAND 重要發展方向之一，

SanDisk 與 SK 海力士宣布簽署合作備忘錄（MOU）
，憑藉 SK 海力士與多家 AI 晶片製造商的【代妈招聘公司】緊密合作關係，